揚州全自動EDI超純水的特點
EDI與混床優(yōu)、缺點分析優(yōu)點混床? 1、設備初期投入低 2、出水水質穩(wěn)定 3、預處理要求簡單 4、水的利用率較高? ?EDI 1、設想周到的堆疊式設 2、水質穩(wěn)定 3、無需酸堿再生,無危害性廢液排放 4、連續(xù)運行,簡單操作 5、運行費用低 6、占地面積小 7、便于安裝及保養(yǎng) 8、水的利用率高缺點???混床 1、樹脂交換容量利用率低、損耗率大 2、酸堿再生有危險性廢液排放 3、細菌易在床層中繁殖 4、閥門較多,操作復雜 5、運行重量高,占用面積大? ?EDI? 1、初期投資較大 2、?對預處理要求高綜上所述,對于高純水系統(tǒng),無論從產(chǎn)水質量、性能和操作等方面考慮,還是從運行費用和環(huán)保等方面考慮,反滲透+EDI工藝都是一個理想的選擇。?EDI純水還可以應用于實驗室超純水設備供水。揚州全自動EDI超純水的特點
EDI工作原理:電去離子(EDI)系統(tǒng)主要是在直流電場的作用下,通過隔板的水中電介質離子發(fā)生定向移動,利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質進行提純的一種科學的水處理技術。電滲析器的一對電極之間,通常由陰膜,陽膜和隔板(甲、乙)多組交替排列,構成濃室和淡室(即陽離子可透過陽膜,陰離子可透過陰膜)。淡室水中陽離子向負極遷移透過陽膜,被濃室中的陰膜截留;水中陰離子向正極方向遷移陰膜,被濃室中的陽膜截留,這樣通過淡室的水中離子數(shù)逐漸減少,成為淡水,而濃室的水中,由于濃室的陰陽離子不斷涌進,電介質離子濃度不斷升高,而成為濃水,從而達到淡化、提純、濃縮或精制的目的。揚州15兆歐EDI超純水市場價EDI離子交換技術是將離子交換膜技術和離子電遷移技術相結合的純水制造技術。
EDI超純水制取預處理應用的必要性如下:純水制取中采用EDI模塊和膜分離技術相結合,這兩項技術在設備運行中對進入的水質也有著相應的要求。膜元件具有微孔極小的特點,如果進入反滲透裝置的水質大顆粒雜質較多,會直接導致膜元件堵塞,影響整套設備的運行。EDI模塊屬于目前超純水制取裝置中重要的技術,它通過電去離子的方式對水質進行純化,如果模塊被污染物質堆積,影響離子交換工藝的正常運行,而且直接破壞了EDI模塊,EDI模塊是目前超純水制取中先進的技術,所以價格較其他配件貴,如果不對原水進行預處理,就會縮短設備使用壽命,給用戶帶來經(jīng)濟負擔。
EDI工作原理:EDI(Electrodeionization)是一種將離子交換技術、離子交換膜技術和離子電遷移技術相結合的純水制造技術。它巧妙的將電滲析和離子交換技術相結合,利用兩端電極高壓使水中帶電離子移動,并配合離子交換樹脂及選擇性樹脂膜以加速離子移動去除,從而達到水純化的目的。在EDI除鹽過程中,離子在電場作用下通過離子交換膜被刪除。同時,水分子在電場作用下產(chǎn)生氫離子和氫氧根離子,這些離子對離子交換樹脂進行連續(xù)再生,以使離子交換樹脂保持很好狀態(tài)。EDI利用兩端電極高壓使水中帶電離子定向移動,配合離子交換樹脂及選擇性樹脂膜,從而達到水純化的目的。
預處理的作用主要是去除或降低原水中的懸浮物質、膠體等大顆粒雜質。通常情況下預處理常用的方式有:1、 沉淀:利用自然沉淀或藥劑軟化,使水中的泥沙、大顆粒懸浮物或硬度生成沉淀物進行沉降處理,已達到去除雜質的目的。2、 混凝澄清:利用混凝劑使水中的固體顆粒因互相接觸吸附,改變其大小形狀和密度,已使其從水中分離出去。3、 過濾:是應用較為多的一項預處理技術,與樹脂原料相結合,使水中雜質被濾料截留,澄清水質。運用科學合理的方式對原水進行預處理,確保EDI純水裝置持續(xù)穩(wěn)定運行,預處理技術的應用為純水制取奠定基礎。將EDI超純水系統(tǒng)與反滲透預處理相結合,可去除水中 99.9% 以上的離子;南通水處理EDI超純水
EDI超純水設備可以應用于精細化工、學科用水的制備;揚州全自動EDI超純水的特點
EDI設備的優(yōu)點:1、 連續(xù)產(chǎn)出超純水,出水水質具有良好的穩(wěn)定度,以高產(chǎn)率產(chǎn)生超純水(產(chǎn)率可以高達95%);2、 模塊化生產(chǎn),實現(xiàn)設備的全自動控制;3、 不需要酸堿再生,不會因為再生而停機;4、 不需要酸堿稀釋運輸設施和酸堿儲備;5、 設備結構緊湊,體積小,占地面積少;6、 使用安全可靠,避免人工接觸酸堿;7、 節(jié)省了反沖和清洗用水,無再生污水,不須污水處理設備;8、 安裝簡單方便,安裝費用低廉;減低設備的運行成本及維修成本;9、 設備運行操作簡單,勞動強度較低;揚州全自動EDI超純水的特點
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它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的即高濃度雜質的)。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生。在發(fā)生隧道效應具備如下三個條件:①費米 。
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